为配合《中国制造2025》稳步实施，出台《集成电路产业发展推进纲要》（简称《推进纲要》）。集成电路产业投资基金积极发力，我国集成电路产业继续保持平稳快速的发展态势。

2016年，武汉、深圳、合肥、泉州等多地纷纷拟布局或开工建设存储器芯片生产线。全球存储器业自1999年始，历经六次大的兼并与退出，厂家数量越来越少，今为止DRAM方面只剩下三家，包括三星、海力士和美光。而闪存方面也只有三星、东芝/闪迪、海力士以及美光/英特尔等四组。存储芯片领域很久没有“新进者”出现了。

中国此轮“存储热潮”既说明《推进纲要》阶段实施工作已取得显著成果，也预示着下一轮全球存储器发展的将逐步向中国转移。未来，随着《推进纲要》实施的不断深化，将进一步调动国内资源积极性，推动产业链协同能力不断增强，进而促进技术进步，中国集成电路产业在存储器等重大产品领域将实现突破性进展。

中国半导体行业协会的统计数据显示，2016年上半年，全球半导体市场销售额1574亿美元，同比下降了5.8%。受此影响，上半年中国集成电路产业销售额同比增长16.1%，比季度增幅下降了0.4个百分点，销售额为1847.1亿元。其中，设计业销售额为685.5亿元，同比增长24.6%；制造业销售额454.8亿元，同比增长14.8%；封装测试业销售额706.8亿元，同比增长9.5%。

但由于起步较晚，我国集成电路产业整体水平较低，总体上处于集成电路产业链的低端水平，高端产品基本上被欧洲、美国和日本等发达和地区的企业垄断。我国每年仍需进口大量集成电路产品，以满足国内电子信息产业的快速发展。

中国创造，须有产权保护

当前，为加快我国集成电路产业发展，技术创新能力，我国亟需继续加大集成电路布图设计专有权的保护力度。然而，在实践中，集成电路布图设计登记、侵权比对、侵权判定等各个环节仍存在诸多问题。

按照相关规定，权利人在申请登记集成电路布图设计时，必须提交纸质复制件或图样，还可以选择提交电子文档，并在集成电路布图设计已经投入商业使用的前提下提交芯片，但实践中经常出现权利人提交的3种载体的内容不一致的情况。

我国集成电路布图设计实行的是登记制，权利人只有到知识产权局对集成电路布图设计进行登记才能获得专有权。但是，权利人提交的不同载体的内容必须是一致的，如果出现不一致的情况，应以纸质复制件或图样为准。

集成电路布图设计保护的另一个难点问题是对其独创性的判断。根据《集成电路布图设计保护条例》的规定，只有具有独创性的布图设计才能受到保护，即需要同时满足“独”和“创”两个条件。一般来说，布图设计都是在现有研究成果的基础上进行再创新，而布图设计中的常规设计不受保护。

随着集成电路集成度不断增加，功能单元越来越小，设计者在满足越来越苛刻的设计要求和原则的条件下，难以在设计高度和内容上有很多创新突破和变化，因此布图设计的“创”低于我国专利法中的创造性高度。

对于集成电路布图设计面临的保护难题，知识产权局专利复审委员会电学申诉一处负责人表示，集成电路布图设计登记门槛低，是与其登记后的保护强度低相对应的，如果想要获得较高强度的保护，可以通过提交专利申请来实现。《推进纲要》也加强了对集成电路布图设计的保护力度。